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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| PDS360-13整流二极管 | DIODES(美台) | PowerDI5 | 肖特基二极管 Single VR=60V IF=3A IR=150µA POWERDI5 |  |
| DDZ15-7齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD123 | 表面安装精密齐纳二极管 | |
| B5819WS肖特基二极管 | MDD(辰达行) | SOD323 | SOD323 1A | |
| B5819WS肖特基二极管 | MDD(辰达行) | SOD323 | SOD323 1A | |
| LBZX84C3V3LT1G齐纳/稳压二极管 | LRC(乐山无线电) | SOT23 | 乐山无线电 SOT23 Pd: 225mW | |
| RB521S30T1G肖特基二极管 | ON(安森美) | SOD-523 | 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：500mV@200mA | |
| S3BB-13-F整流二极管 | DIODES(美台) | SMB | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.15V@3A 反向电流(Ir)：10uA@100V | |
| 1SMB5930BT3G齐纳/稳压二极管 | ON(安森美) | SMB | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.2V~16.8V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@12.2V 阻抗(Zzt)：10Ω | |
| 1N914BWT开关二极管（小信号） | ON(安森美) | SOD523F | 开关二极管 VRRM=75V IF=300mA Trr=4ns P=200mW SOD523F | |
| ZLLS400QTA肖特基二极管 | DIODES(美台) | 肖特基二极管 40V 520mA SOD323 | |
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| BZT52C4V7-13-F齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD-123 | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：4.7V 稳压值(范围)：4.4V~5V 功率：370mW 反向电流(Ir)：3uA@2V 阻抗(Zzt)：80Ω | |
| ES1J-LTP快/超快恢复二极管 | MCC(美微科) | SMA | 二极管标准600V 1A表面贴装SMA | |
| S3J-13-F整流二极管 | DIODES(美台) | SMC | 3.0A表面安装玻璃钝化整流器 VR=600V IR=10μA SMC | |
| ES1D快/超快恢复二极管 | MDD(辰达行) | SMA | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tvj) | |
| ES1D快/超快恢复二极管 | MDD(辰达行) | SMA | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tvj) | |
| ES1D快/超快恢复二极管 | MDD(辰达行) | SMA | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tvj) | |
| ES1D快/超快恢复二极管 | MDD(辰达行) | SMA | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tvj) | |
| BAV99开关二极管（小信号） | SK(台湾时科) | SOT23 | SOT23 SMT | |
| BAS20HT1G开关二极管（小信号） | ON(安森美) | SOD323 | 开关二极管 VR=200V IF=200mA Trr=50ns P=200mW SOD323 | |
| BAV21WS-E3-08开关二极管（小信号） | Vishay(威世) | SOD323 | 小信号开关二极管，高电压 | |
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