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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| BZT52C12-13-F齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD123 | 稳压二极管 Vz=12V 11.4V~12.7V Izt=5mA P=500mW SOD123 | ![]() |
| BZT52C24-7-F齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD-123 | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):24V 稳压值(范围):22.8V~25.6V 功率:370mW 反向电流(Ir):100nA@16.8V 阻抗(Zzt):70Ω | ![]() |
| BZT52C9V1-7-F齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD123 | 370mW表面安装ZENER二极管Vz=9.1V Izt=5mA SOD123 | ![]() |
| MMSZ5225B-7-F齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD123 | 500mW表面安装稳压二极管Vz=3V Izt=20mA SOD123 | ![]() |
| BZT52C4V3-7-F齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD-123 | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):4.3V 稳压值(范围):4V~4.6V 功率:370mW 反向电流(Ir):3uA@1V 阻抗(Zzt):90Ω | ![]() |
| MMSZ5227BT1G齐纳/稳压二极管 | ON(安森美) | SOD123 | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):3.6V 稳压值(范围):3.42V~3.78V 精度:±5% 功率:500mW 反向电流(Ir):15uA@1V 阻抗(Zzt):24Ω | ![]() |
| MMSZ5239BT1G齐纳/稳压二极管 | ON(安森美) | SOD123 | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):9.1V 稳压值(范围):8.65V~9.56V 精度:±5% 功率:500mW 反向电流(Ir):3uA@7V 阻抗(Zzt):10Ω | ![]() |
| 1N5344BRLG齐纳/稳压二极管 | ON(安森美) | AXIAL_D3.68X8.89MM_TM | 稳压二极管 Vz=8.2V 7.79V~8.61V Izt=150mA P=5W | ![]() |
| BAT54FILM肖特基二极管 | ST(意法半导体) | SOT23-3 | 肖特基二极管 Single VR=40V IF=0.3A SOT23-3 | ![]() |
| PTZTE255.6B齐纳/稳压二极管 | ROHM(罗姆) | SMA | 二极管齐纳5.95V 1W PMDS | ![]() |
| LBZX84C6V8LT1G齐纳/稳压二极管 | LRC(乐山无线电) | SOT23 | 稳压二极管 Vz=6.8V 6.4~7.2V Ir=2uA@4V Zzt=15Ω | ![]() |
| UDZ15B-7齐纳/稳压二极管 | DIODES(美台) | SOD323 | 表面安装精密齐纳二极管 | ![]() |
| ABS10-10桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | ABS | 1A表面安装玻璃钝化桥式整流器 | ![]() |
| GBU1008桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | GBU | 玻璃钝化桥式整流器 Vr=800V IR=5μA GBU | ![]() |
| ABS6桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | ABS | 0.8A表面安装玻璃钝化桥式整流器 | ![]() |
| RS3MBF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMBF | 独立式 总电容40pF 反向耐压1000V | ![]() |
| ABS10-12桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | ABS | 1.2A表面安装玻璃钝化桥式整流器 | ![]() |
| B0540W肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | SOD123 | ![]() |
| ES8GC快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 独立式 总电容50pF 反向耐压400V | ![]() |
| US2MB快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMB | 独立式 反向耐压1000V 反向恢复时间75ns | ![]() |