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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| BAW56开关二极管（小信号） | Jingdao(晶导微电子) | SOT23-3 | 开关二极管 SOT23 SMT |  |
| DS120W肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123FL | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：900mV@1A 200V,1A,VF=0.9V@1A | |
| S10GC整流二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：1V@10A 反向电流(Ir)：5μA@400V | |
| ZMM2V0齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 齐纳二极管 Vz=2V 1.8~2.25V Izt=5mA P=500mW | |
| ZM4732A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL41 | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | |
| ZM4750A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL41 | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | |
| MM3Z10齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | SC76 | 稳压二极管 Vz=10V P=300mW SC76 | |
| MM1Z27齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | SOD123 | 稳压二极管 SOD123 Vz=27V Ir=100nA | |
| BZT52C3V6S齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=3.6V 3.4V~3.8V Izt=5mA P=200mW SOD323 | |
| HZ15-2齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO35 | 硅外延平面齐纳二极管 14.5V~15.1V VF=1V IF=100mA Izt=5mA | |
| 1N4754A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO41 | 稳压二极管 Vz=39V Izt=6.5mA DO41 | |
| 1N5233B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO35 | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6V 稳压值(范围)：5.7V~6.3V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5μA@3.5V 阻抗(Zzt)：7Ω 6V 0.5W | |
| SF1004DS快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | TO252-3 | 独立式 总电容45pF 反向耐压400V | |
| DS210W肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123FL | SOD123FL | |
| MM5Z8V2齐纳/稳压二极管 | CBI(创基) | SOD523 | 硅平面稳压二极管 | |
| MBR20200DT肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | TO252-2 | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：20A 正向压降(Vf)：920mV@10A 反向电流(Ir)：50μA@200V | |
| BAT54C肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT23 | SOT23 | |
| BAV70开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOT23 | SOT23 225mW | |
| BAV70开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOT23 | SOT23 225mW | |
| BAT54W肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD123 | SOD123 | |
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