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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| BZT52C5V6S齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=5.6V 5.2V~6V Izt=5mA P=200mW SOD323 |  |
| SS220F肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 表面贴装肖特基势垒整流器 反向电压-20至200 V 正向电流-2.0A | |
| SSL510C肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 表面贴装肖特基势垒整流器 反向电压-40至100V 正向电流-5.0A | |
| B5818W肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | SOD123 3A | |
| SS520C肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 表面贴装肖特基势垒整流器 反向电压-20至200V 正向电流-5.0A | |
| US1KW快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD-123FL | 独立式 反向耐压800V 反向恢复时间75ns | |
| BZT52C15S齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=15V 13.8V~15.6V Izt=5mA P=200mW SOD323 | |
| BZT52C3V3S齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=3.3V 3.1V~3.5V Izt=5mA P=200mW SOD323 | |
| MM1Z36齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=36V 34V~38V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| MM1Z11齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=11V 10.4V~11.6V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| MM1Z6V8齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=6.8V 6.4V~7.2V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| MM1Z16齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=16V 15.3V~17.1V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| SS52B肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMB | 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：550mV@5A | |
| ES3GF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.25V@3A 反向电流(Ir)：5μA@400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(*值)：+150℃@(Tj) | |
| ES3JBF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMBF | 总电容35pF 反向恢复时间35ns 反向耐压600V | |
| ABF210桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | ABF | 2A表面安装玻璃钝化桥式整流器 | |
| UMSB40M桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | UMSB | 4A表面安装玻璃钝化桥式整流器 VR=1KV IR=5μA UMSB | |
| TB10S-10桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | ABS | 1A表面安装玻璃钝化桥式整流器 VR=1KV IR=5μA ABS | |
| US1MF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 独立式 反向耐压1000V 反向恢复时间75ns | |
| SL10100DS肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | TO252-3 | 肖特基势垒整流器 反向电压-100 V 正向电流-10 A | |
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