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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| MM5Z7V5齐纳/稳压二极管 | CBI(创基) | SOD523 | 硅平面稳压二极管 |  |
| ES2JBF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMBF | 总电容28pF 反向耐压600V 反向恢复时间35ns | |
| BAT54SW肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT323 | 肖特基势垒二极管VR=30V IF=20mA IR=2μA SOT323 | |
| BAT54SW肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT323 | 肖特基势垒二极管VR=30V IF=20mA IR=2μA SOT323 | |
| RB501V-40肖特基二极管 | JSCJ(长晶) | SOD323 | SOD-323塑料封装二极管 | |
| MM1Z12齐纳/稳压二极管 | CBI(创基) | SOD123 | 硅平面齐纳二极管Vz=12V Izt=5mA Pd=500mW | |
| BZT52C10W齐纳/稳压二极管 | CBI(创基) | SOD123 | 硅平面稳压二极管 | |
| SD103AWT肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD523 | 肖特基二极管SOD523 VR=40V Io=350mA IR=50μA | |
| SD103AWT肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD523 | 肖特基二极管SOD523 VR=40V Io=350mA IR=50μA | |
| ES1DW快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123FL | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(*值)：+150℃@(Tj) | |
| S5JC快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：1V@5A 反向电流(Ir)：5μA@600V | |
| S3AB整流二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMB | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@50V | |
| S10KC整流二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：1V@10A 反向电流(Ir)：5μA@800V | |
| DSK210肖特基二极管 | LGE(鲁光) | SOD123FL | SOD123FL | |
| BZX84C6V8齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SOT23-3 | SOT23-3 6.8V 10mA 350mW | |
| BZT52C5V1-W8齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SOD123 | 表面安装齐纳二极管 | |
| 1SMB5938B齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SMB | 硅齐纳二极管36V ±5% 1.5W | |
| S3B整流二极管 | LGE(鲁光) | SMA | 3.0安培。表面安装整流器SMA 3A | |
| BZT52C16齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 稳压二极管 Vz=16V 15.3V~17.1V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| SS26B肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMB | 表面贴装肖特基势垒整流器 反向电压-20至200V 正向电流-2.0A | |
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