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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| MBR1060DT肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | TO252-2 | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：750mV@5A 反向电流(Ir)：100μA@60V |  |
| MM1Z10齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=10V 9.4V~10.6V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| BZT52C22齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 稳压二极管 Vz=22V 20.8V~23.3V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| MM1W9V1齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=9.1V 8.6V~9.59V Izt=28mA P=1W SOD123 | |
| 1SMA4764A齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 齐纳二极管 Vz=100V 95V~105V Izt=2.5mA P=1W SMA | |
| US2MF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 表面贴装超快恢复整流器 | |
| 1N4729A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO41 | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.6V 精度：±5% 功率：1W | |
| ZMM5239B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=9.1V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | |
| ES3JC快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 总电容40pF 反向恢复时间35ns 反向耐压600V | |
| ES2JF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 总电容30pF 反向耐压600V 反向恢复时间35ns | |
| ES3GBF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMBF | 总电容35pF 反向恢复时间35ns 反向耐压400V | |
| FR102W快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD-123FL | 独立式 总电容15pF 反向耐压100V | |
| ULBF510桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | ULBF | 5A表面安装桥式整流器 VR=1KV IR=5μA ULBF | |
| UF4007整流二极管 | LGE(鲁光) | DO-41 | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：10μA@1kV | |
| BAT46JFILM肖特基二极管 | TECH PUBLIC(台舟电子) | SOD323 | 肖特基二极管 Single SOD323 Vr=100V If=150mA | |
| LBAV21T1G开关二极管（小信号） | LRC(乐山无线电) | SOD123 | 高压开关二极管 | |
| TPBT4148-1006开关二极管（小信号） | TECH PUBLIC(台舟电子) | DFN2_1X0.6MM | 开关二极管 VF=1.2V Ir=0.1µA DFN2_1X0.6MM | |
| ZMM5250B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=20V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | |
| 1N5261B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO35 | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：47V 稳压值(范围)：44.65V~49.35V 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@36V 阻抗(Zzt)：105Ω | |
| 1SMAF4749A齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 硅平面稳压二极管 | |
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