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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| S2MF整流二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 整流二极管 VRRM=1KV If=2A VF=1.1V CJ=22pF SMAF |  |
| US1KF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.65V@1A 反向电流(Ir)：5μA@800V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(*值)：+150℃@(Tj) 800V,1A,VF=1.65V@1A | |
| MM1Z3V6齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | SOD123 | 稳压二极管 SOD123 Vz=3.6V Ir=10µA | |
| ZM4738A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL41 | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | |
| ZMM5246B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=16V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | |
| MMSZ4690齐纳/稳压二极管 | JSCJ(长晶) | SOD123 | SOD-123塑料封装二极管 | |
| BZX55C5V6齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO35 | Vz=5.6V 5.2V~6V Izt=5mA P=500mW | |
| BZX55C51齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO35 | Vz=51V 48V~54V Izt=5mA P=500mW | |
| B5817W肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | SOD123 | |
| BAT54A肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT23 | SOT23 | |
| BAT54A肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT23 | SOT23 | |
| SS56F肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：700mV@5A 60V,5A,VF=0.7V@5A | |
| MM3Z7V5齐纳/稳压二极管 | CBI(创基) | SOD323 | 硅平面稳压二极管 | |
| BAT54SW肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT323 | 肖特基势垒二极管VR=30V IF=20mA IR=2μA SOT323 | |
| BAT54SW肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT323 | 肖特基势垒二极管VR=30V IF=20mA IR=2μA SOT323 | |
| 1N4148WT开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOD523 | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：125mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：50uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | |
| 1N4148WT开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOD523 | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：125mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：50uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | |
| 1N5817WS肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD323 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：750mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@20V SJ(SJ表示丝印) | |
| 1N5817WS肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD323 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：750mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@20V SJ(SJ表示丝印) | |
| MM3Z11齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD323 | 齐纳二极管 Vz=11V 10.4V~11.6V Izt=5mA P=300mW SOD323 | |
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