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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| BZT52C11齐纳/稳压二极管 | MDD(辰达行) | SOD-123 | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：11V 稳压值(范围)：10.4V~11.6V 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@8V 阻抗(Zzt)：20Ω |  |
| BZT52C15S齐纳/稳压二极管 | MDD(辰达行) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=15V 13.8V~15.6V Izt=5mA P=200mW SOD323 | |
| BZT52C15S齐纳/稳压二极管 | MDD(辰达行) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=15V 13.8V~15.6V Izt=5mA P=200mW SOD323 | |
| BZT52C20齐纳/稳压二极管 | MDD(辰达行) | SOD123 | 稳压二极管 Vz=20V 18.8V~21.2V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| BZT52C20齐纳/稳压二极管 | MDD(辰达行) | SOD123 | 稳压二极管 Vz=20V 18.8V~21.2V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| BZT52C16S齐纳/稳压二极管 | MDD(辰达行) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=16V 15.3V~17.1V Izt=5mA P=200mW SOD323 | |
| BZT52C16S齐纳/稳压二极管 | MDD(辰达行) | SOD323 | 稳压二极管 Vz=16V 15.3V~17.1V Izt=5mA P=200mW SOD323 | |
| BZX55C2V0齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO35 | Vz=2V 1.8V~2.15V Izt=5mA P=500mW | |
| BZX2C12V齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO41 | 齐纳/稳压二极管 Vz=12V Izt=41.5mA DO41 | |
| ZM4754A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL41 | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | |
| 1N5248B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | DO35 | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@14V 阻抗(Zzt)：21Ω 18V 0.5W | |
| ZMM5251B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=22V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | |
| ZMM5243B齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=13V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | |
| SS215肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 直流反向耐压(Vr)：150V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：950mV@2A | |
| TB10F桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | ABF | 0.8A表面安装玻璃钝化桥式整流器 VR=1KV IR=5μA ABF | |
| ES2DBF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMBF | 总电容28pF 反向耐压200V 反向恢复时间ns | |
| ES3DBF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMBF | 总电容35pF 反向恢复时间35ns 反向耐压200V | |
| 1N4148WT开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOD523 | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：125mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：50uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | |
| 1N4148WT开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOD523 | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：125mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：50uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | |
| 1N5819W肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD123 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：600mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@40V | |
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