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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| ZM4736A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL41 | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | ![]() |
| ZMM10-M齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 稳压二极管 Vz=10V Pd=500mW LL34 | ![]() |
| ZMM36-M齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL34 | 稳压二极管 Vz=36V Pd=500mW LL34 | ![]() |
| ZM4753A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL41 | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | ![]() |
| MBR1045DT肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | TO252-2 | 肖特基势垒整流器 | ![]() |
| 1SMAF4759A齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 硅平面稳压二极管 | ![]() |
| MB14F桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | MBF | 1A表面安装肖特基电桥 VR=40V IR=0.3mA MBF | ![]() |
| LRB521BS-30T5G肖特基二极管 | LRC(乐山无线电) | SOD882 | SOD882 500mA | ![]() |
| LM5Z9V1T1G齐纳/稳压二极管 | LRC(乐山无线电) | SOD523 | 齐纳二极管 Vz=9.1V 8.5V~9.6V Izt=5mA P=200mW SOD523 | ![]() |
| LBZT52C3V9T1G齐纳/稳压二极管 | LRC(乐山无线电) | SOD123 | 乐山无线电 SOD−123 Pd: 500mW Zzk: 600Ω | ![]() |
| 1N4002W整流二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123FL | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5uA@100V 100V,1A,VF=1.1V@1A | ![]() |
| ES1JF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.68V@ 1A 反向电流(Ir):5μA@ 600V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃@ (Tj) 工作温度(*值):+150℃@ (Tj) | ![]() |
| US8MC快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 快/超快恢复二极管 SMC 75ns 1.65V | ![]() |
| MURS260A整流二极管 | LGE(鲁光) | SMA | 表面安装整流器 | ![]() |
| ES2D快/超快恢复二极管 | LGE(鲁光) | SMB | 2.0安培。表面安装超快速整流器VRRM=200V I(AV)=2A IF=2A VF=0.95V IR=10μA SMB | ![]() |
| ES2M快/超快恢复二极管 | LGE(鲁光) | SMA | 超快速表面贴装整流器 | ![]() |
| 1SMA4737AG齐纳/稳压二极管 | SK(台湾时科) | SMA | 稳压二极管 Vz=7.5V 7.12~7.88V Izt=34mA P=1W SMA | ![]() |
| 1SMA4735A齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SMA | 稳压二极管 1W 10A 6.2V 10uA | ![]() |
| 1SMA4746A齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SMA | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):18V 稳压值(范围):17.1V~18.9V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):5uA@13.7V 阻抗(Zzt):20Ω 18V SMA | ![]() |
| SOD1F2 F2快/超快恢复二极管 | MDD(辰达行) | SOD123FL | 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向电流(Ir):10μA@100V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-50℃~+150℃@(Tj) | ![]() |