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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| ES3JBG快/超快恢复二极管 | SK(台湾时科) | SMB | "表面贴装超快速恢复整流器 反向电压–50至600 V 正向电流–3 A" |  |
| 1SMAF4742A齐纳/稳压二极管 | SK(台湾时科) | SMAF | 二极管配置:独立式, Single, 稳压值Vz:12V, 反向漏电流IR:5uA | |
| MM3Z2V4齐纳/稳压二极管 | SK(台湾时科) | SOD323 | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.4V 稳压值(范围)：2.2V~2.6V 功率：200mW 反向电流(Ir)：50uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | |
| ES2DF快/超快恢复二极管 | SK(台湾时科) | SMAF | "表面贴装超快速恢复整流器 反向电压–50至600 V 正向电流–2 A" | |
| SS510C肖特基二极管 | MDD(辰达行) | SMC | 肖特基二极管 VR=100V Io=5A | |
| SS510C肖特基二极管 | MDD(辰达行) | SMC | 肖特基二极管 VR=100V Io=5A | |
| 1N5819肖特基二极管 | YANGJIE(扬杰科技) | DO41 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：600mV@1A | |
| SS120肖特基二极管 | LGE(鲁光) | SMA | 鲁光 SMA Io: 1A IR: 0.1mA VF: 0.85V | |
| RS2M快/超快恢复二极管 | LGE(鲁光) | SMB | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V@2A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns | |
| MMSZ5231B齐纳/稳压二极管 | JSCJ(长晶) | SOD123 | SOD-123塑料封装二极管 | |
| MMSZ5231BS齐纳/稳压二极管 | JSCJ(长晶) | SOD323 | SOD-323塑料封装二极管 | |
| SS18肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：700mV@1A 反向电流(Ir)：200μA@80V 80V 1A VF=0.7V@1A | |
| ES2JW快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD-123FL | 总电容30pF 反向耐压600V 反向恢复时间35ns | |
| RS5MC快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 独立式 总电容50pF 反向耐压1000V | |
| BZT52C3V3齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 稳压二极管 Vz=3.3V 3.1V~3.5V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| 1SMAF4747A齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 硅平面稳压二极管 | |
| MB6S-10桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | MBS | 1A表面安装玻璃钝化桥式整流器 VR=600V IR=5μA MBS | |
| BZT52C3V0S齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD323 | 硅平面稳压二极管 | |
| SS220G肖特基二极管 | SK(台湾时科) | SMA | 时科 SMA single Io: 2A IR: 0.3mA VF: 0.95V | |
| SS210BF肖特基二极管 | SK(台湾时科) | SMBF | SMBF 850mV 2A 100V 110pF 2Pins | |
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