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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| ZM4759A齐纳/稳压二极管 | ST(先科)() | LL41 | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W |  |
| SS26B肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMB | 表面贴装肖特基势垒整流器 反向电压-20至200V 正向电流-2.0A | |
| MBR20150DT肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | TO252-3 | 肖特基势垒整流器 反向电压-40至200 V 正向电流-20 A | |
| MSB40M桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | UMSB | 4A表面安装玻璃钝化桥式整流器 VR=1KV IR=5μA UMSB | |
| MM1Z10齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=10V 9.4V~10.6V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| 1SMAF4740A齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 硅平面稳压二极管 | |
| BZT52C22齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 稳压二极管 Vz=22V 20.8V~23.3V Izt=5mA P=500mW SOD123 | |
| MM1W9V1齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 齐纳二极管 Vz=9.1V 8.6V~9.59V Izt=28mA P=1W SOD123 | |
| 1SMA4764A齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 齐纳二极管 Vz=100V 95V~105V Izt=2.5mA P=1W SMA | |
| 1SMB5919B齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SMB | 稳压值(标称值)：5.6V 精度：±5% 功率：1.5W 反向电流(Ir)：5uA@3V | |
| SD103AWS肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD323 | 肖特基二极管 SOD323 40V 350mA | |
| MM1Z5V1W齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123W | 硅平面齐纳二极管 Vz=V Izt=5mA Pd=500mW | |
| BZV55C11齐纳/稳压二极管 | LGE(鲁光) | SOD80 | 500毫瓦。密封玻璃齐纳电压整流器 | |
| RB521S-30肖特基二极管 | LGE(鲁光) | SOD523 | 肖特基二极管 SOD523 30V 200mA 30μA | |
| DB207S桥式整流器/整流桥 | LGE(鲁光) | DBS_8.6X6.5MM_SM | DBS_8.6X6.5MM_SM | |
| ES1DW快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123FL | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(*值)：+150℃@(Tj) | |
| BAV70DW开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOT363 | 塑料封装二极管、开关二极管 | |
| 1SS226开关二极管（小信号） | CBI(创基) | SOT23 | 极管配置：1对串联式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V | |
| SD103ADW肖特基二极管 | CBI(创基) | SOT363 | 肖特基势垒二极管 SOT363 | |
| ZM4734A齐纳/稳压二极管 | Slkor(萨科微) | LL41 | 硅平面齐纳二极管Vz=5.6V Pd=1W LL41 | |
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